DDTD122LC-7-F详细信息_DDTD122LC-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	220 Ohms
典型电阻器比率	0.022
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	0.5 A
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTD122
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
类型	NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD86356Q5D	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET	1:¥18.5998 10:¥15.8313 100:¥12.5995 500:¥10.9836 2,500:¥8.5315 5,000:查看	参考库存:19690
R5207ANDTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST	2,500:¥6.6331 5,000:¥6.3845 10,000:¥6.1359	参考库存:33956
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JANSR2N3501UB	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH Small-Signal BJT	暂无价格	参考库存:33971