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晶体管
DDTD122LC-7-F参考图片

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DDTD122LC-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 500mW
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库存:23,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
220 Ohms
典型电阻器比率
0.022
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
0.5 A
峰值直流集电极电流
500 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTD122
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
600
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
类型
NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTD122LC-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:35545
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥768.40
参考库存:35550
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:35555
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:21098
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 350mW
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:233600
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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