DDTD113ZU-7-F详细信息_DDTD113ZU-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTD113
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTC144TU,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:8705
PDTA144EU,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 10,000:¥0.18419 20,000:查看	参考库存:7397
IPB80N06S405ATMA2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥7.7631 500:¥6.8591 1,000:¥5.4127	参考库存:6064
IPW65R150CFDAFKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3	1:¥42.1829 10:¥35.8097 100:¥31.0411 250:¥29.4252 500:¥26.4307	参考库存:5401
IRGP4650D-EPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC	1:¥60.8618 10:¥55.0197 25:¥52.4772 100:¥45.5616	参考库存:4608