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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	82
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC115EM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	82
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC115EM

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPP120N06S4H1AKSA2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥24.8148 10:¥21.131 100:¥18.2834 250:¥17.3681 500:¥15.594	参考库存:3055
PDTC124EMB,315	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor	1:¥3.2318 10:¥2.2713 100:¥1.04525 1,000:¥0.79891 10,000:¥0.62263 20,000:查看	参考库存:51592
SIZ300DT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ342DT-T1-GE3	1:¥8.6784 10:¥7.1755 100:¥5.5144 500:¥4.7347 3,000:¥3.4917 6,000:查看	参考库存:16274
RN2902,LF(CT	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor	1:¥2.3052 10:¥1.5029 100:¥0.63054 1,000:¥0.43053 3,000:¥0.32318	参考库存:31596
STP2N95K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected	1:¥11.3678 10:¥9.605 100:¥7.684 500:¥6.7348 1,000:¥5.5709	参考库存:6598