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晶体管
FZT968TA参考图片

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FZT968TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt HighV
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库存:8,986(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 360 mV
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT968
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 1 V, 300 at 500 mA, 1 V, 200 at 5 A, 1 V, 150 at 10 A, 1 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT968TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:33690
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.7233
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5312
参考库存:33695
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥567.9267
5:¥550.1744
10:¥533.4278
25:¥509.4492
参考库存:33700
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Schottky 650mA 0.47V 0.5A
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
45,000:¥0.64523
99,000:¥0.61472
参考库存:186941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 350mW
5,600:¥1.04525
10,500:¥0.97632
25,200:¥0.92208
50,400:¥0.90626
100,100:¥0.86784
参考库存:33707
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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