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晶体管
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ZXTN2011GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Med Power
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN201
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM170N06CH X0G
Taiwan Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO92 NPN 1A 40V GenP ur
20,000:¥0.10735
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Infineon Technologies
晶体管
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3,000:¥0.70738
9,000:¥0.64523
24,000:¥0.60681
参考库存:30597

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