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晶体管
CSD25304W1015T参考图片

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CSD25304W1015T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch NexFET
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.3843
238.43
250
¥2.3843
596.075
1,000
¥1.8419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD25304W1015
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25304W1015T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1362-GR(T5L,F,T
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