PBSS304PD,115详细信息_PBSS304PD,115相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
晶体管极性	PNP
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	80 V
集电极—基极电压 VCBO	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大直流电集电极电流	3 A
增益带宽产品fT	110 MHz
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值	155 at 500 mA, 2V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min	155 at 500 mA, 2 V, 140 at 1 A, 2 V, 105 at 2 A, 2 V, 60 at 3 A, 2 V, 30 at 4 A, 2 V, 20 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散	360 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PBSS304PD T/R

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BCY58-IX	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W	1:¥14.0572 10:¥12.5204 100:¥9.9892 500:¥8.7575	参考库存:11831
NTGS3443T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 2A P-Channel	1:¥3.3787 10:¥2.5651 100:¥1.3899 1,000:¥1.04525 3,000:¥0.89948	参考库存:585958
FDD2572	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Power Trench	1:¥13.0628 10:¥11.0627 100:¥8.8366 500:¥7.7631 1,000:¥6.4071 2,500:¥6.4071	参考库存:13885
J113	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Channel Switch	1:¥3.1527 10:¥2.1922 100:¥1.00683 1,000:¥0.77631	参考库存:119237
TP2522N8-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 220V 12Ohm	1:¥10.1474 10:¥9.9892 25:¥8.5315 100:¥7.684 2,000:¥5.2997 4,000:查看	参考库存:12339