APT100GT60JR详细信息_APT100GT60JR相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF3710STRRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC	1:¥12.1362 10:¥10.2943 100:¥8.2264 500:¥7.232 800:¥5.989	参考库存:8640
PDTB123ET,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥3.0736 10:¥2.0679 100:¥0.86784 1,000:¥0.59212 3,000:¥0.46104	参考库存:34182
STN951	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor	1:¥5.989 10:¥4.9607 100:¥3.1979 1,000:¥2.5538	参考库存:20124
FQD3P50TM-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3-Pin 2+Tab	1:¥11.2209 10:¥9.605 100:¥7.3789 500:¥6.5201 2,500:¥4.5652 10,000:查看	参考库存:13161
BC856A-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V -100mA	1:¥1.695 10:¥1.5594 100:¥0.46895 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.24634	参考库存:30963