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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB030N08N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3	1:¥25.1312 10:¥21.357 100:¥18.4416 250:¥17.515 1,000:¥13.2888 2,000:查看	参考库存:25674
DMG1013T-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523	1:¥2.2261 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:541176
APTGT200A120G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	1:¥1,263.6338 5:¥1,232.4345 10:¥1,202.772 25:¥1,159.0523	参考库存:2788
TPC8407,LQ(S	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF	1:¥8.4524 10:¥6.78 100:¥5.2093 500:¥4.5991 2,500:¥3.2205 10,000:查看	参考库存:22305
TSM80N400CF C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET	1:¥31.1993 10:¥27.8884 25:¥25.0521 100:¥22.826	参考库存:12532