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晶体管
RN2312(TE85L,F)参考图片

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RN2312(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
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库存:32,252(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN2312
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,RN2312(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35669
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
1:¥9.7632
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.2997
3,000:¥3.9211
6,000:查看
参考库存:16826
晶体管
MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥1.05994
参考库存:712173
晶体管
MOSFET 20V single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:16880
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
1:¥215.5362
5:¥213.3101
10:¥198.8574
25:¥189.953
500:¥154.1433
参考库存:4962
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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