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晶体管
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FQP6N40C

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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2715
627.15
500
¥5.5483
2774.15
1,000
¥4.3844
4384.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
73 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP6N40C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.7 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQP6N40C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP6N40C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥2.0792
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1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
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1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
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10:¥4.0793
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1,000:¥2.1018
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MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm
1:¥7.2998
2,500:¥7.2998
参考库存:22442
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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