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晶体管
UF3C120080K4S参考图片

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UF3C120080K4S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 1200V 80m? SiC Cascode Fast
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库存：1,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥252.0352
252.0352
5
¥240.7352
1203.676
10
¥233.2094
2332.094
25
¥214.3045
5357.6125
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
254.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
33 ns
商品其它信息
优势价格，UF3C120080K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3637L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥109.8812
250:¥100.1971
500:¥93.7448
1,000:¥85.9817
参考库存:35021
JANTXV2N5152U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥995.078
参考库存:35026
JANTXV2N6298
Microsemi
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达林顿晶体管 Power BJT
100:¥362.6848
250:¥338.4802
参考库存:35031
JANTXV2N5667
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥360.922
5:¥341.3956
10:¥337.5536
25:¥312.1964
参考库存:35036
STL8DN6LF3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
3,000:¥5.0624
9,000:查看
参考库存:20636

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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