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晶体管
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IKP08N65F5

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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库存：6,795(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥12.9046
129.046
100
¥10.2943
1029.43
500
¥8.9948
4497.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP08N65F5XKSA1 SP000973408
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IKP08N65F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB180N08S4-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥37.6516
10:¥31.9677
100:¥27.7415
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:8891
MJ15003G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN
1:¥53.7089
10:¥48.5674
50:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:15988
BLF177
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:4845
IRFP4468PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
1:¥58.7826
10:¥53.1778
25:¥50.6353
100:¥44.0248
参考库存:12917
FQD11P06TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.7176
参考库存:118519

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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