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晶体管
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STGB10NB40LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.8 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NB40LZT4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
700 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB10NB40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA NPN GP
1,750:¥3.2996
2,800:¥2.9267
10,150:¥2.825
25,200:¥2.7233
参考库存:34898
晶体管
JFET N-Ch Matched 40mV Dual Trans Reel/1000
1,000:¥99.5869
参考库存:34903
晶体管
MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet
4,000:¥7.1642
5,000:¥6.9043
10,000:¥6.7574
参考库存:34908
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
2,500:¥3.842
10,000:¥3.7064
25,000:¥3.5934
参考库存:34913
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
3,000:¥4.6104
参考库存:34918
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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