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晶体管
SIS435DNT-T1-GE3参考图片

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SIS435DNT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
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库存:22,158(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥4.9042
49.042
100
¥3.729
372.9
500
¥3.0736
1536.8
3,000
¥3.0736
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
40 ns
商品其它信息
优势价格,SIS435DNT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:23675
晶体管
MOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:45982
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 132A 4.8M
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
1,500:¥25.5154
参考库存:9634
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
1,000:¥4.4522
参考库存:10081
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
1:¥2,707.3783
5:¥2,544.2515
参考库存:3543
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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