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晶体管
BULB49DT4参考图片

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BULB49DT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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库存:12,527(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—基极电压 VCBO
850 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BULB49D
高度
4.6 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
9.35 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
80000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,BULB49DT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:35545
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥768.40
参考库存:35550
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:35555
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:21098
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 350mW
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:233600
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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