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晶体管
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BD676G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 45V 40W PNP
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1
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5.0737
10
¥4.1584
41.584
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD676
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
67.700 mg
商品其它信息
优势价格，BD676G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17318Q2T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1696
250:¥2.1696
1,000:¥1.6724
参考库存:8604
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:3926
STFU9N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:7148
SIA928DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:21205
2PS12017E44G35911
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥51,270.9476
参考库存:2247

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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