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晶体管
FGH40N60UFDTU参考图片

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FGH40N60UFDTU

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库存:7,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
500
¥14.6787
7339.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH40N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:39664
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
9,000:¥0.9831
参考库存:104731
晶体管
MOSFET P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.97632
参考库存:65938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:4100
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:60852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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