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晶体管
FGA30S120P参考图片

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FGA30S120P

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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
500
¥19.7524
9876.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30S120P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA30S120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.1981
参考库存:5167
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,500:¥1.2995
参考库存:28829
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.7A 15V
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:58256
晶体管
MOSFET 40V 6Ohm
1:¥4.7686
10:¥4.7573
25:¥3.955
100:¥3.5595
3,000:¥2.2713
9,000:查看
参考库存:24763
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:71635
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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