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晶体管
IRLR3110ZTRPBF参考图片

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IRLR3110ZTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC
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库存:27,720(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
1,000
¥6.3054
6305.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP001574010
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,IRLR3110ZTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.5997
250:¥15.9782
参考库存:32466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
参考库存:12683
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:200720
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:57692
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:17849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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