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晶体管
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BS107P

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库存:12,148(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.4127
54.127
100
¥3.4917
349.17
1,000
¥2.8024
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
120 mA
Rds On-漏源导通电阻
30 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BS107
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格,BS107P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:6762
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:171484
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:1871
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:6773
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥61.3929
10:¥55.5508
25:¥52.9405
100:¥45.9458
参考库存:2975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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