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晶体管
ZXMN6A25GTA参考图片

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ZXMN6A25GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZXMN6A25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.2 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
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500:¥13.2888
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参考库存:7261
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    50万现货SKU

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