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晶体管
IRLB8743PBF参考图片

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IRLB8743PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
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库存:19,116(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.0626
90.626
100
¥7.006
700.6
500
¥6.1924
3096.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001572884
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRLB8743PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 12.8A 1.4W
3,000:¥10.9158
6,000:¥10.5316
9,000:¥10.1474
参考库存:31116
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:31121
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥411.8624
参考库存:31126
晶体管
达林顿晶体管 NPN Enhanced Darlington
15,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:31131
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:31136
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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