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晶体管
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MRF157

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
21 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
80 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
1.35 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN014-80YLX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN014-80YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:50675
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
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IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
1:¥4,717.6709
5:¥4,433.3629
参考库存:2867
DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:14564
NZT651
ON Semiconductor / Fairchild
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Current Driver
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥1.921
参考库存:42816
FS75R07N2E4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V
1:¥616.9461
5:¥605.5783
10:¥578.3792
25:¥559.0901
参考库存:2838

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