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晶体管
HGTG20N60A4参考图片

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HGTG20N60A4

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库存:10,265(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.0413
35.0413
10
¥29.8094
298.094
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.5097
6127.425
500
¥21.9785
10989.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG20N60A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
3,000:¥8.2942
6,000:查看
参考库存:29406
晶体管
MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:18188
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
2,500:¥1.5255
参考库存:15690
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
400:¥29.6625
参考库存:18612
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥2.712
1,000:¥2.1696
2,500:¥1.8306
参考库存:15644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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