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晶体管
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HGTG20N60A4

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数量单价合计
1
¥35.0413
35.0413
10
¥29.8094
298.094
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.5097
6127.425
500
¥21.9785
10989.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG20N60A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2020UFCL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:70494
FDS6679
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:12251
DMN26D0UDJ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:310268
FDP2572
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9269
参考库存:7640
BC846S,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:103507

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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