FQD9N25TM-F080详细信息_FQD9N25TM-F080相关参数PDF_ON Semiconductor / Fairchild-维基芯城

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：14,982(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Id-连续漏极电流	7.4 A
Rds On-漏源导通电阻	420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	QFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	2.39 mm
长度	6.73 mm
系列	FQD9N25
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	6.22 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	6.8 S
下降时间	45 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	105 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	13 ns
零件号别名	FQD9N25TM_F080
单位重量	260.370 mg

商品其它信息

优势价格，FQD9N25TM-F080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTA114ET,235	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW	1:¥1.3108 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 10,000:¥0.18419 20,000:查看	参考库存:100382
2SC4617EBHZGTLR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A 0.15W SOT-416FL	1:¥2.2261 10:¥1.5368 100:¥0.64523 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.34578	参考库存:33229
NVMFD5C478NLWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8	1:¥7.0738 10:¥6.0794 100:¥4.6669 500:¥4.1245 1,500:¥2.8928 9,000:查看	参考库存:55896
BCX53,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105	参考库存:28338
10502	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥3,678.7941 5:¥3,447.8108	参考库存:27970