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晶体管
BSZ100N06LS3 G参考图片

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BSZ100N06LS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存：58,573(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
5,000
¥2.8137
14068.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ1N6LS3GXT SP000453672
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ100N06LS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDV302P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Digital FET P-Ch
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:506128
BC847ALT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:805540
FGB40N60SM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
800:¥16.5206
参考库存:5222
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:223939
FQPF10N50CF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Ch MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:12281

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    50万现货SKU

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