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晶体管
SSM6N35FE,LM参考图片

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SSM6N35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
4,000
¥0.48364
1934.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 20 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:36440
晶体管
MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:20995
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:425997
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.0907
1,500:¥6.0907
参考库存:36449
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:36454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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