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晶体管
RJH65T47DPQ-A0#T0参考图片

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RJH65T47DPQ-A0#T0

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/45A/TO-247A
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库存:4,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.1776
49.1776
10
¥43.8779
438.779
25
¥39.4935
987.3375
50
¥37.8098
1890.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
90 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RJH65T47DPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
4,000:¥13.2888
参考库存:34937
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
参考库存:709492
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥3.5369
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
3,000:¥0.90626
6,000:查看
参考库存:34944
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:34949
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
3,000:¥26.0465
参考库存:34954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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