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晶体管
CGH40010F参考图片

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CGH40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1
¥429.3774
429.3774
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
5.21 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH40010-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40010F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
4,000:¥3.1075
参考库存:14151
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61873
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥26.2838
10:¥21.7412
100:¥17.8992
250:¥17.3681
500:¥16.1364
参考库存:46662
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:3820
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
1:¥16.3624
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8478
10,000:查看
参考库存:173837
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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