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晶体管
CGH40010F参考图片

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CGH40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1
¥429.3774
429.3774
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
5.21 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH40010-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40010F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:45215
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥41.4936
10:¥33.3463
100:¥27.3573
500:¥24.5888
参考库存:5812
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:19311
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
参考库存:31923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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