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晶体管
NSVF4017SG4T1G参考图片

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NSVF4017SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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库存:16,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVF4017SG4T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:30301
晶体管
MOSFET
1:¥3,359.6708
5:¥3,313.4199
10:¥3,197.4706
25:¥3,081.5891
参考库存:30306
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:30311
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:30316
晶体管
MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:30321
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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