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晶体管
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C3M0065100K

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
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数量单价合计
1
¥93.4397
93.4397
100
¥89.8237
8982.37
500
¥85.4506
42725.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
15 V, - 4 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
11.9 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF460AG
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
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MUN5131T1G
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:156418
IMD9AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:8675
RQ5L015SPTL
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晶体管
MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:92627
DTD113EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:16604

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