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晶体管
C3M0120090D参考图片

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C3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
21.1 m
长度
16.13 mm
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，C3M0120090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF850N80Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SF2 800V 850MOHM E TO220F
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:8940
IPB80P04P4L-06
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7065
参考库存:8742
TN0604N3-G-P005
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.3733
10:¥8.2264
25:¥6.9608
100:¥6.328
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:13439
IPP023N10N5
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:35726
BSO207P H
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:15098

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    50万现货SKU

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