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晶体管
SIHP22N60AE-GE3参考图片

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SIHP22N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存：9,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.0464
240.464
100
¥19.8202
1982.02
250
¥19.21
4802.5
500
¥17.2099
8604.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
156 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SIH
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SIHP22N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DD750S65K3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:1116
FQB5N60CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
800:¥5.1528
2,400:¥4.9155
参考库存:11503
MAPRST0912-50
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
1:¥2,488.6894
参考库存:1160
SI2367DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.07576
参考库存:74712
2N5249
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JFET N-Ch
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥2.5312
1,000:¥1.921
2,500:¥1.695
参考库存:38209

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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