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晶体管
DMP10H400SEQ-13参考图片

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DMP10H400SEQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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41.697
100
¥2.6894
268.94
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2147
2,500
¥2.147
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参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
13.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP10H400
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
34.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.4 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
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