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晶体管

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CG2H80030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CG2H80030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQB7P20TM-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:26345
BC858BT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 1MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:26350
IMD8AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:26355
2SD1963T100R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 3A
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.6272
参考库存:26360
EMA5T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/PNP
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:26365

  • 海量现货

    50万现货SKU

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