NVMFS5C456NLAFT1G详细信息_NVMFS5C456NLAFT1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-5
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	87 A
Rds On-漏源导通电阻	3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	18 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	55 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	Reel
系列	NVMFS5C456NL
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	100 ns
工厂包装数量	1500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	17 ns
典型接通延迟时间	9.3 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZVN4306A	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 60V	1:¥11.4469 10:¥9.7632 100:¥7.5371 500:¥6.667 1,000:¥5.2545	参考库存:37913
ZXTN2007GTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 1,000:¥2.8815	参考库存:4680
SPP80N03S2L-05	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3	1:¥14.5205 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106	参考库存:5952
SI4401BDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V	1:¥14.5205 10:¥12.0684 100:¥9.379 500:¥8.2264 1,000:¥6.8139 2,500:¥6.8139	参考库存:17064
IRFP048RPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 60V 70 Amp	1:¥39.1884 10:¥32.4988 100:¥26.7358 250:¥25.8996 500:¥23.2102	参考库存:46721