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NJVMJD127T4G

  • ON Semiconductor
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  • 达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
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1
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6.3732
10
¥5.2771
52.771
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
2,500
¥2.3052
5763
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
10 uA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD127
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
100
商标
ON Semiconductor
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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