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晶体管
SQJ912BEP-T1_GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SQJ912BEP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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库存:44,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3393
633.93
500
¥5.4579
2728.95
1,000
¥4.3053
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms, 9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
60 nC, 60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQJ912BEP
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S, 70 S
下降时间
4 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns, 33 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 12 ns
商品其它信息
优势价格,SQJ912BEP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:32776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD3/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:32781
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
12,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:2810824
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
10,000:¥0.5989
25,000:¥0.56048
参考库存:295826
晶体管
MOSFET
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:6328
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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