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晶体管
DMP6110SVT-7参考图片

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DMP6110SVT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP6110
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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