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晶体管
IPT65R105G7XTMA1参考图片

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IPT65R105G7XTMA1

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库存:19,120(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
250
¥31.3462
7836.55
2,000
¥22.5096
45019.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
CoolMOS G7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPT65R105G7 SP001456204
商品其它信息
优势价格,IPT65R105G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CSD19532Q5B Pkg spin
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:11103
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:26105
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2.5A 80V
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:19837
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:13824
晶体管
MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.9606
25:¥2.4521
100:¥2.3165
3,300:¥2.0001
9,900:查看
参考库存:7011
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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