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晶体管
SQD19P06-60L_T4GE3参考图片

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SQD19P06-60L_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
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库存:49,822(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥11.4469
114.469
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.119
3559.5
2,500
¥5.0624
12656
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD19P06-60L_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 22KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:23742
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:30648
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.26894
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20792
参考库存:30653
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥39.3466
10:¥33.4254
100:¥28.9732
250:¥27.5042
参考库存:30658
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2769
参考库存:30663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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