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晶体管
IGT60R190D1SATMA1参考图片

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IGT60R190D1SATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
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库存:12,914(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥100.5022
100.5022
10
¥92.434
924.34
25
¥88.592
2214.8
100
¥78.0717
7807.17
2,000
¥57.4718
114943.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolGaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001701702
商品其它信息
优势价格,IGT60R190D1SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,500:¥6.0003
4,500:查看
参考库存:17561
晶体管
JFET N-Ch Depletion JFET 25Vds 25Vdg 100mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3573
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:55715
晶体管
MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:249477
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:47794
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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