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晶体管
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FCP850N80Z

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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP850N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP850N80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPSA42 APM
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 500mA 1.5W
6,000:¥1.2091
10,000:¥1.12209
24,000:¥1.05994
50,000:¥1.03734
参考库存:30805
SCT10N120H
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晶体管
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1,000:¥45.4938
参考库存:30810
TGF2941
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:30815
DMC562000R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.67574
9,000:¥0.61472
24,000:¥0.5763
45,000:¥0.50737
参考库存:30820
SCT30N120H
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1,000:¥108.8868
参考库存:30825

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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