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晶体管
CSD19537Q3T参考图片

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CSD19537Q3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100v N ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4523
645.23
250
¥6.4523
1613.075
500
¥5.6952
2847.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
14.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD19537Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,CSD19537Q3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.2996
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1,000:¥0.72207
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100:¥5.5031
500:¥4.1245
1,000:¥3.3335
2,000:¥2.9493
参考库存:11966
  • 海量现货

    50万现货SKU

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