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晶体管
SQ4050EY-T1_GE3参考图片

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SQ4050EY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.7913
67.913
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.5 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，SQ4050EY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:56901
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.373
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.8984
参考库存:37353
DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
10,000:¥0.49155
20,000:¥0.46104
参考库存:37358
SIB422EDK-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.4465
100:¥2.5538
500:¥2.1018
3,000:¥1.4803
6,000:查看
参考库存:37363
DMN7022LFGQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.2207
10:¥6.215
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3335
参考库存:16918

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    50万现货SKU

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