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晶体管
NGTB10N60R2DT4G参考图片

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NGTB10N60R2DT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
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库存:19,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.8817
688.17
500
¥6.0907
3045.35
1,000
¥4.8025
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
72 W
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,NGTB10N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:27201
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:15136
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
1,000:¥17.2099
2,000:查看
参考库存:7638
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
1,500:¥1.7967
参考库存:27210
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:512645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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