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晶体管
IPSA70R1K4P7SAKMA1参考图片

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IPSA70R1K4P7SAKMA1

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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.9 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPSA70R1K4P7S SP001664778
商品其它信息
优势价格,IPSA70R1K4P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:2408
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:60625
晶体管
MOSFET 30V 200mA dual Nchan Trench MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.72207
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:32247
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:97814
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:2721
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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