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晶体管
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QPD1017

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
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18
¥4,072.52
73305.36
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1017的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVATS5A107PLZT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
3,000:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:28424
VP2206N3-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:28429
APT30M19JVFR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥522.286
2:¥512.681
5:¥506.8389
10:¥491.4709
参考库存:28434
ZXTP4003GTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP LED Driver HFE 100 -1A IC
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0679
参考库存:8869
HAT2164H-EL-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET - 30V LFPAK - Lead Free
暂无价格
参考库存:28441

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