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晶体管
ALD210808ASCL参考图片

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ALD210808ASCL

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库存:34,242(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥42.3411
2117.055
100
¥40.341
4034.1
250
¥35.2673
8816.825
500
¥34.2729
17136.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210808A
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
666 mg
商品其它信息
优势价格,ALD210808ASCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
1:¥20.5886
10:¥17.4472
100:¥13.9894
500:¥12.2153
参考库存:19651
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7176
2,000:¥1.4577
参考库存:20673
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Power
1:¥5.2997
10:¥4.5539
100:¥3.1527
1,000:¥2.3504
3,000:¥1.9775
参考库存:21635
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.537
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.0227
参考库存:10397
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
1:¥72.998
10:¥66.0033
25:¥62.9297
100:¥54.6355
参考库存:4504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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