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晶体管
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2N2432UB

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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100
¥129.9387
12993.87
250
¥119.2602
29815.05
500
¥113.4972
56748.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
集电极—射极饱和电压
0.15 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Waffle
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2N2432UB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:28991
FZ1800R17HP4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥6,747.7837
5:¥6,639.9026
参考库存:28996
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:29001
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:29006
MHT1002GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,475.6331
参考库存:29011

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